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                                  Qromis:為商業化做好準備
                                  2020-3-5
                                  來源:未知
                                  點擊數:  786        作者:未知

                                  • 隨著GaN市場的發展勢頭,Qromis公司正致力于CMOS fab-friendly襯底和外延片,以簡化器件制造。



                                    今年1月,總部位于硅谷的Qromis披露了兩項新進展,表明該公司正處于快速擴張的邊緣。

                                    作為一個初創公司,IC設計業務、寬禁帶材料業務前不久就收到了一筆來自Mirai Creation Fund的未公開投資。這是由日本的投資者SARX主導的。

                                    與此同時,它還與日本硅片和材料制造商Shin Etsu Chemical簽署了一項許可協議,生產用于GaN power/RF電子、LED器件等的襯底和外延片。

                                    Qromis在基板材料領域深耕5年之久才取得了如今的發展成就?,F在,首席執行官Cem Basceri也很興奮。

                                    他說:“我們開發了這種獨特的CMOS fab-friendly襯底技術,這種技術具有可擴展性,應力與GaN匹配?!??!奥犉饋砗芎唵?,但這需要多年的發展和投資?!?

                                    他補充說:“現在,任何一家設備制造商可以采用我們的襯底,幾乎無風險的就能制造出許多不同的設備功能?!??!斑@是非常有價值的?!?

                                    突飛猛進


                                    Qromis早在2015年就推出了Qromis襯底技術,QST。為GaN外延生長做好準備,這些襯底包括一個工程熱膨脹系數(CTE)匹配的核心,幾個工程層沉積在其上。在工程層上還沉積了一層極薄的硅界面。

                                    關鍵的是,CTE匹配的核心具有與GaN-AlGaN外延層的熱膨脹緊密匹配的熱膨脹,使得能夠沉積低位錯密度、無裂紋的GaN外延層,從幾個微米到塊狀厚度。

                                    正如Basceri所強調的:“我們這樣做是為了使襯底應力與GaN相匹配,而不會出現任何開裂或晶圓斷裂的問題,同時也是為了防止集成電路中的襯底串擾,這是硅的一個大問題?!?

                                    Qromis已經發布了6英寸和8英寸的GaN-ready QST基板,以及6英寸和8英寸的5微米和10微米GaN層“模板”。此外,基于6英寸和8英寸QST襯底的200V和650V GaN-HEMT外延片正在為商用器件進行微調,而900V和1200V GaN-HEMT外延片也在開發和取樣中。

                                    該公司的快速技術發展是在供應鏈上下與眾多行業參與者建立合作伙伴關系和協作的基礎上進行的。在成立一年內,該公司與先鋒國際半導體(Vanguard International Semiconductor)合作,將其關鍵技術授權給臺灣的硅鑄造廠制造。

                                    自2016年以來,該公司還與比利時imec微電子創新中心(microelectronics innovation hub)密切合作,在先進CMOS硅試點生產線的200 mm QST基板上,以離散和單體集成的集成電路形式,開發GaN功率器件。

                                    Imec和Qromis還與德國Aixtron的GaN MOCVD設備制造商就GaN的QST外延發展進行了合作。結果相當顯著。

                                    Cem Basceri,Qromis創始人、總裁兼首席執行官


                                    正如Basceri所指出的,GaN-on-silicon的工業標準平臺是150毫米硅片。雖然imec率先開發了用于hemt到650v工作電壓的200mm GaN-on硅片,但GaN/AlGaN層與硅之間的熱失配阻礙了器件在更高電壓下的制造。

                                    Imec和Qromis已經在200毫米QST襯底上開發了增強模式p-GaN分立和IC功率器件,外延層生長在Aixtron的G5+C 200毫米MOVCD平臺上。最關鍵的是,imec能夠將其p-GaN e模式功率器件技術移植到其硅導頻線中的Qromis 200 mm GaN on QST晶片上,并展示高性能功率器件。

                                    Basceri說:“Vanguard隨后決定授權imec的設備技術、GaN功率外延和工藝,該公司目前正在按照(合作伙伴的)規范制造和調試設備?!??!斑@是一個重大轉折點?!?

                                    增加產能


                                    根據GaN的健康增長預測,Basceri表示,Vanguard將在今年晚些時候“向所有人敞開大門”,在直徑200毫米的QST平臺上提供GaN電源和后來的射頻設備制造服務。這也促使Qromis首席執行官以Shin-Etsu Chemical的形式,為QST襯底和GaN-on-QST外延片建立了第二個制造源。重要的是,通過這一合作關系,基于QST的材料產品將從Shin Etsu和Qromis向行業參與者提供

                                    根據Basceri的說法,Shin-Etsu將積極推進GaN相關產品的開發,在硅、SOI和硅片上補充現有的GaN系列。正如他所說:“根據我們從使用先鋒的合作伙伴和客戶那里得到的消息,我們預計未來3到4年,晶圓需求將達到數萬片?!?

                                    利用其基板,Qromis將解決一系列應用,首先是GaN功率和RF器件,然后是LED器件,例如microled和傳感器。其中一個關鍵市場將是電動汽車——正如Basceri指出的,SARX的MIRAI創造基金的很大一部分來自豐田汽車公司,它在這個市場上根深蒂固。

                                    Basceri說:“我們預計在2021年到2022年之間開始增加200毫米的制造,我還預計從2025年開始將看到300毫米晶圓的總體需求,我們已經開始收到一些初步的詢問?!??!皫啄昵?,我們在GaN的商用市場上曾有過缺失的環節,但現在的轉折點就在這里?!?


                                    關于Qromis

                                    Qromis,Inc.成立于2015年3月,位于加利福尼亞州硅谷,是一家私營的無晶圓廠技術創新公司,專注于節能和高性能寬帶隙(WBG)半導體材料和器件解決方案,大大減少全球能源使用和消耗。

                                    該公司憑借其在基板和設備技術方面的顛覆性和經驗證的解決方案,有望成為快速增長、價值數十億美元的WBG行業的主要參與者之一,從而實現無與倫比的成本、性能和應用規模。所服務的市場包括電力電子、發光二極管(LED)、高級顯示器和射頻電子,以及其他新興的高性能和節能應用。

                                    作為一家無晶圓廠的公司,Qromis正在推動其獨特的解決方案與鑄造網絡的商業化。該公司及其鑄造合作伙伴為其客戶和合作伙伴提供WBG設備鑄造服務,以及先進和新穎的工藝技術平臺。

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